Компании Micron, Samsung и SK hynix, по сообщению ресурса Tom's Hardware, создали модули оперативной памяти SOCAMM (Small Outline Compression Attached Memory Modules) на основе чипов LPDDR5X. Изделия ориентированы на ИИ-системы и серверы с пониженным энергопотреблением.

Модули SOCAMM имеют размеры 14 × 90 мм, что примерно в три раза меньше по сравнению с традиционными решениями RDIMM. В состав SOCAMM входят до четырёх 16-кристальных стеков памяти LPDDR5X. Изделия нового формата спроектированы специально для дата-центров, оптимизированных для приложений ИИ.

Micron разработала модули SOCAMM ёмкостью 128 Гбайт, при производстве которых используется техпроцесс DRAM 1β (пятое поколение 10-нм техпроцесса). Скоростные показатели не раскрываются. Но Micron говорит о производительности на уровне 9,6 GT/s (млрд пересылок в секунду). В свою очередь, SK Hynix на конференции NVIDIA GTC 2025 представила модули SOCAMM, для которых заявлена скорость в 7,5 GT/s.

Источник изображения: Micron

Отмечается, что на оперативную память приходится значительная доля энергопотребления серверов. Например, в системах, оснащённых терабайтами DDR5, энергопотребление ОЗУ может превышать энергопотребление CPU. Компания NVIDIA учла это при разработке чипов Grace, выбрав для них память LPDDR5X, которая потребляет меньше энергии, чем DDR5. Однако в случае GB200 Grace Blackwell пришлось использовать впаянные блоки LPDDR5X, поскольку самостоятельные стандартные модули LPDDR5X не соответствовали требованиям в плане ёмкости. Изделия SOCAMM, массовое производство которых уже началось, позволяют решить данную проблему.

На первом этапе модули SOCAMM будут применяться в серверах на основе суперчипов NVIDIA GB300. Но пока не ясно, станут ли решения SOCAMM отраслевым стандартом, поддерживаемым JEDEC, или останутся фирменным продуктом, разработанным Micron, Samsung, SK hynix и NVIDIA для серверов, построенных на чипах Grace и Vera.

Компания SK hynix, один из крупнейших производителей микросхем памяти в мире, объявила финансовые результаты IV квартала и 2024 года в целом. Компания отметила, что были достигнуты рекордные показатели благодаря высокому спросу на ряд её продуктов, в том числе на память HBM, которая используется в ИИ-ускорителях. SK hynix объявила, что были достигнуты лучшие финансовые показатели за год за всю её историю — по выручке, операционной прибыли и чистой прибыли.

Источник изображения: SK hynix

Выручка SK hynix за IV квартал составила ₩19,76 вон ($13,76 млрд), что на 74,7 % больше год к году и на 12 % последовательно при консенсус-прогнозе аналитиков, опрошенных LSEG, в ₩19,76 трлн вон, а операционная прибыль подскочила на 2236 % до ₩8,08 трлн (около $5,6 млрд) или на 15 % последовательно. Прогноз Уолл-стрит, согласно данным LSEG, равен ₩8,08 трлн. Чистая прибыль в размере ₩8 трлн (около $5,56 млрд) заметно контрастирует с убытком в ₩1,38 трлн (около $960 млн) годом ранее. По словам SK hynix, чипы HBM принесли ей 40 % от общего дохода от производства DRAM.

Согласно данным ресурса The Korea Times, SK hynix впервые опередила по квартальной операционной прибыли своего конкурента и крупнейший бизнес страны Samsung Electronics, став лидером по этому показателю в Южной Корее.

За 2024 год выручка SK hynix составила ₩66,19 трлн (около $45,97 млрд), превысив показатель предыдущего года на 102 %. Операционная прибыль равняется ₩23,47 трлн (около $16,4 млрд) по сравнению убытками в 2023 году и чистая прибыль — ₩19,8 трлн (около $13,8 млрд, в 2023 году — убытки). Выручка SK hynix от HBM увеличилась в 2024 году более чем в 4,5 раза по сравнению с 2023 годом. Компания отметила, что «сектор памяти трансформируется в рынок высокопроизводительной и высококачественной памяти с ростом спроса на память для ИИ». Также в 2024 году продажи серверных SSD подскочили на 300 % благодаря высокому спросу со стороны провайдеров ЦОД.

Однако акции SK hynix упали на 4,7 % после того, как финансовый директор Ким У-хен (Kim Woo-hyun) предупредил о слабом спросе, растущей конкуренции и растущей рыночной неопределённости, пишет Reuters. «В этом году рынок микросхем памяти остается неопределённым, поскольку растёт торговый протекционизм и углубляются геополитические риски, в то время как производители ПК и смартфонов корректируют запасы», — сообщил финансовый директор в ходе отчёта о финансовых результатах. До объявления финансовых результатов акции SK hynix выросли с начала года примерно на 30 %.

Вместе с тем SK hynix прогнозирует рост спроса на HBM и высокоплотную серверную DRAM для HPC-нагрузок «по мере роста инвестиций крупных мировых технологических компаний в ИИ-серверы и повышения значимости инференса», пишет Blocks & Files. Korean Times сообщает, что SK hynix ожидает, что её продажи памяти HBM удвоятся в 2025 году. Вместе с тем компания заявила, что поставки чипов DRAM и NAND снизятся на 10–20 % в I квартале по сравнению с предыдущим. Согласно Reuters, компания сообщила аналитикам, что её капитальные расходы в 2025 году вырастут лишь незначительно год к году, и этот консервативный план усилил опасения рынка по поводу замедления спроса.

В комментарии к финансовому отчёту SK hynix говорится, что в I половине этого года на чипы HBM3E будет приходиться более половины дохода от памяти HBM. Компания полагает, что 12-ярусная HBM4 станет её флагманским продуктом в 2026 году. В этом году SK hynix планирует завершить её разработку и начать подготовку к массовому производству во II полугодии. Поставки HBM4 начнутся с чипов 12-Hi, а затем последуют и 16-Hi. «Ожидается, что 16-ярусные чипы будут поставляться в соответствии с требованиями клиентов, вероятно, во II половине 2026 года», — сообщила компания.

Компания SK hynix анонсировала SSD семейства PS1012, выполненные в форм-факторе U.2 SFF. Эти накопители большой ёмкости рассчитаны на современные дата-центры, спроектированные для ИИ-нагрузок. Пробные поставки новинок начнутся до конца текущего месяца.

В основу изделий PS1012 положены микрочипы флеш-памяти QLC NAND. Для обмена данными служит интерфейс PCIe 5.0. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 13 Гбайт/с, что, как утверждается, вдвое больше по сравнению с продуктами предыдущего поколения.

Вместимость новинки составляет 61,44 Тбайт. В разработке также находится вариант ёмкостью 122 Тбайт, который планируется представить в III квартале следующего года. Кроме того, SK hynix намерена вывести на рынок SSD, способные хранить 244 Тбайт информации. В основу этих устройств лягут 321-слойные чипы флеш-памяти 4D NAND.

Источник изображения: SK hynix

«По мере стремительного развития ИИ спрос на высокопроизводительные твердотельные накопители корпоративного класса быстро растёт, а технология QLC , обеспечивающая высокую ёмкость, становится отраслевым стандартом. SK hynix следует этой тенденции и представляет новый продукт на 61 Тбайт», — говорится в заявлении компании.

Отмечается, что накопители PS1012 соответствуют стандарту Open Compute Project (OCP) 2.0. Прочие технические характеристики пока не раскрываются. Образцы SSD планируется предоставить ведущим мировым производителям серверов для оценки.

Компания SK hynix на мероприятии SK AI Summit в Сеуле (Южная Корея) сообщила о разработке первых в отрасли 16-ярусных чипов памяти HBM3E, ёмкость которых составляет 48 Гбайт. Клиенты получат образцы таких изделий в начале 2025 года.

Генеральный директор SK hynix Квак Но-Джунг (Kwak Noh-Jung) сообщил, что компания намерена трансформироваться в поставщика ИИ-памяти «полного стека». Ассортимент продукции будет охватывать изделия всех типов — от DRAM до NAND. При этом планируется налаживание тесного сотрудничества с заинтересованными сторонами.

Источник изображения: techpowerup.com

При производстве 16-Hi HBM3E компания будет применять передовую технологию Advanced MR-MUF, которая ранее использовалась при изготовлении 12-слойных продуктов. Память рассчитана на высокопроизводительные ИИ-ускорители. Утверждается, что 16-ярусные изделия по сравнению с 12-слойными аналогами обеспечивают прирост быстродействия на 18 % при обучении ИИ-моделей и на 32 % при инференсе.

SK hynix намерена предложить заказчикам кастомизируемые решения HBM с оптимизированной производительностью, которые будут соответствовать различным требованиям к ёмкости, пропускной способности и функциональности. Плюс к этому SK hynix планирует интегрировать логику непосредственно в кристаллы HBM4. Ранее говорилось, что компания рассчитывает начать поставки памяти HBM4 заказчикам во II половине 2025 года.

В числе других готовящихся продуктов SK hynix упоминает модули LPCAMM2 (Compression Attached Memory Module 2) для ПК и ЦОД, решения LPDDR5 и LPDDR6 с технологией производства 1c-класса, SSD с интерфейсом PCIe 6.0, накопители eSSD и UFS 5.0 большой вместимости на основе чипов флеш-памяти QLC NAND.

Производитель электромобилей и разработчик других умных машин Tesla обсуждает с южнокорейской SK Hynix возможный заказ SSD корпоративного класса на сумму ₩1 трлн (около $725 млн), передаёт The Korea Economic Daily.

Solidigm, дочерняя компания SK hynix, отмечает, что без ёмких и быстрых SSD работа с ИИ невозможна. Предполагается, что Tesla столь большая закупка SSD нужен как раз для развития ИИ-инфраструктуры. Компания вот-вот запустит ИИ-кластер из 50 тыс. NVIDIA H100. Также у неё есть собственный ИИ-суперкомпьютер Dojo, а в целом в этом году капитальные затраты за год, как ожидается, превысят $11 млрд. Значительная часть из них уйдёт как раз на ИИ ЦОД.

Как уточняет ресурс Blocks & Files, поставщиками All-Flash СХД для обеих систем являются несколько вендоров. В данном случае, судя по всему, идёт закупке QLC-накопителей D5-P5336 ёмкостью 61,44 Тбайт. За указанную сумму можно приобрести порядка 100–200 тыс. накопителей суммарной ёмкостью от 10 Эбайт — конкретные значения будут зависеть от размера скидки, а при такой крупной закупке она обязательно будет.

Источник изображения: Tesla

На прошлой неделе SK hynix заявила, что в III квартале она практически удвоила прибыль. SK Hynix намерена наращивать инвестиции в чипы, связанные с ИИ-технологиями — SSD и HBM. Ожидается, что спрос на них и в следующем году будет весьма высок. В компании игнорируют опасения отраслевых экспертов, предрекающих «зиму» спроса на чипы памяти. Наоборот, компания рассчитывает на дефицит поставок памяти для ИИ-ускорителей из-за огромного спроса на соответствующую продукцию.

Компания SK hynix объявила о разработке высокопроизводительных SSD семейства PEB110, предназначенных для применения в дата-центрах. Утверждается, что эти накопители обеспечивают двукратный рост производительности и более чем 30-% улучшение энергоэффективности по сравнению с изделиями предыдущего поколения.

Новинки, выполненные в форм-факторе E1.S, оснащены интерфейсом PCIe 5.0. Вместимость составляет 2, 4 и 8 Тбайт. Накопители выполнены на основе 238-слойных чипов флеш-памяти 4D NAND. Говорится о поддержке спецификации OCP 2.5. Кроме того, упомянута технология SPDM (Security Protocol and Data Model): она отвечает за безопасную аутентификацию и мониторинг серверов. Прочие технические характеристики пока не раскрываются.

Источник изображения: SK hynix

SSD серии PEB110 ориентированы на работу с ресурсоёмкими ИИ-приложениями. В настоящее время устройства проходят квалификацию у потенциальных заказчиков из числа крупных операторов ЦОД. Массовое производство накопителей планируется организовать во II квартале 2025 года.

«Новый продукт создан на основе лучшей в своём классе памяти 4D NAND, которая может похвастаться самыми высокими в отрасли показателями производительности, качества и стоимости», — говорит Ан Хён (Ahn Hyun), глава подразделения N-S Committee в составе SK hynix.

Компания SK hynix отрапортовала о работе во II четверти 2024 года. Выручка южнокорейского производителя чипов памяти составила ₩16,42 трлн (корейских вон), или приблизительно $11,86 млрд. Это является абсолютным рекордом. Для сравнения: годом ранее показатель равнялся ₩7,31 трлн, или $5,29 млрд. Таким образом, рост в годовом исчислении оказался на уровне 125 %.

SK hynix связывает резкое увеличение денежных поступлений с двумя факторами. Это, в частности, общее повышение цен на память DRAM и NAND. Кроме того, наблюдается растущий спрос на высокоскоростные изделия HBM на фоне бума ИИ и стремительного развития генеративных сервисов.

Источник изображения: SK hynix

Операционная прибыль SK hynix во II квартале 2024 года составила ₩5,47 трлн ($3,96 млрд), что является самым высоким показателем с III квартала 2018 года. Чистая прибыль зафиксирована на отметке ₩4,12 трлн ($2,97 млрд), тогда как годом ранее компания понесла чистые убытки в размере ₩2,99 трлн.

Продажи чипов HBM подскочили более чем на 80 % по сравнению с I четвертью 2024 года и более чем на 250 % по сравнению со II кварталом 2023-го. Вместе с тем продажи SSD корпорактивного класса в квартальном исчислении поднялись примерно на 50 %. Компания отмечает, что средняя цена реализации продуктов NAND продолжает увеличиваться с IV квартала 2023 года.

SK hynix планирует укреплять позиции на рынке HBM. В частности, готовится массовое производство 12-слойных изделий HBM3E, образцы которых компания предоставила клиентам в III квартале прошлого года. Кроме того, во II половине 2024-го SK hynix планирует выпустить чипы DDR5 DRAM ёмкостью 32 Гбит для серверов и модули MCR DIMM для НРС-систем.

Южнокорейская компания SK hynix планирует выделить в период до 2028 года ₩103 трлн ($74,6 млрд) в укрепление своего бизнеса по производству чипов, сосредоточив внимание на ИИ-направлении, пишет агентство Reuters со ссылкой на заявление холдинга SK Group. Как сообщает Bloomberg, значительная часть этой суммы — ₩82 трлн ($59,5 млрд) — будет инвестирована в производство памяти HBM.

Дочерние предприятия SK Telecom и SK Broadband в рамках развёртывания ИИ-технологий инвестируют ₩3,4 трлн ($2,5 млрд) в свои ЦОД. В свою очередь, SK Group планирует привлечь к 2026 году ₩80 трлн ($56 млрд) для инвестиций в основном в ИИ и полупроводники, стремясь закрепить позицию своего подразделения по производству чипов в качестве ключевого поставщика памяти для NVIDIA и других игроков рынка ИИ.

Второй по величине конгломерат Южной Кореи объявил, что в результате двухдневной встречи топ-менеджеров с участием главы SK Group Чей Тэ Вона (Chey Tae-won) в минувшие выходные было решено, что холдинг будет использовать средства, полученные за счёт повышения прибыльности и оптимизации структуры бизнеса для инвестиций в производство памяти HBM и чипов, а также в ЦОД и персонализированных ИИ-ассистентов. «Поскольку наступил новый переходный период, нам нужны упреждающие и существенные изменения, чтобы подготовиться к будущему», — заявил Чей Тэ Вон.

Источник изображения: SK hynix

SK hynix является основным поставщиком чипов HBM для ускорителей NVIDIA. Её акции в этом году подскочили на 65 %, в то время как у её более крупного конкурента Samsung Electronics акции выросли в цене с начала года на 4 %. Samsung, крупнейший в мире производитель чипов памяти, также выпускает HBM, равно как и американская компания Micron, которая также стремится увеличить долю на этом рынке. Аналитики утверждают, что SK hynix по-прежнему лидирует в области технологии стекирования микросхем, которая используется в HBM.

В ходе встречи топ-менеджеры также договорились предпринять поэтапные шаги по доведению количества дочерних компаний в SK Group до «управляемого диапазона», не уточнив масштабы сокращения. Как сообщает Nikkei Asia со ссылкой на правительственные данные, по состоянию на май у холдинга было 219 «дочек» с совокупными активами в ₩334,4 трлн (около $240 млрд). В частности, по настоянию SK hynix будут объединены ИИ-стартапы Sapeon и Rebellions.

Компания SK hynix, по сообщению The Register, получила заказы на весь объём памяти HBM, запланированный к выпуску в 2024 году, и на основную часть этих чипов, которые будут произведены в 2025-м. Спрос на изделия HBM быстро растёт на фоне стремительного развития ИИ-рынка.

SK hynix объявила на пресс-конференции в своей штаб-квартире в Ичхоне (Южная Корея) о намерении расширить производство микросхем HBM. Генеральный директор компании Квак Но-чжун (Kwak Noh-jung) заявил, что выпуск изделий данного типа удастся значительно нарастить после завершения строительства новых предприятий в Южной Корее и США.

Источник изображения: SK hynix

SK hynix является основным поставщиком памяти HBM для ускорителей NVIDIA, с поставками которых наблюдаются сложности из-за высокого спроса со стороны облачных провайдеров и операторов дата-центров, ориентированных на ИИ-нагрузки. Квак Но-чжун прогнозирует, что в среднесрочной и долгосрочной перспективе среднегодовой прирост потребности в чипах HBM будет составлять около 60 %. Это связано с увеличением объёмов генерируемых данных и повышением сложности ИИ-моделей.

До конца мая SK hynix планирует предоставить клиентам образцы памяти HBM пятого поколения — 12-слойные изделия HBM3E. Массовый выпуск такой продукции компания наметила на III квартал 2024 года. Недавно SK hynix заявила, что планирует инвестировать более $14,5 млрд в новый корейский завод M15X по производству чипов памяти. Первоначально планировалось, что это предприятие будет выпускать изделия NAND, но затем было решено переориентировать его мощности под выпуск DRAM.

В марте сообщалось, что компания Micron Technology, приступившая в феврале к массовому производству памяти HBM3E, уже получила контракты на весь объём поставок этих изделий до конца 2024 года, а также на большую часть поставок в 2025 году.