Компания SK hynix, по сообщению The Register, получила заказы на весь объём памяти HBM, запланированный к выпуску в 2024 году, и на основную часть этих чипов, которые будут произведены в 2025-м. Спрос на изделия HBM быстро растёт на фоне стремительного развития ИИ-рынка.

SK hynix объявила на пресс-конференции в своей штаб-квартире в Ичхоне (Южная Корея) о намерении расширить производство микросхем HBM. Генеральный директор компании Квак Но-чжун (Kwak Noh-jung) заявил, что выпуск изделий данного типа удастся значительно нарастить после завершения строительства новых предприятий в Южной Корее и США.

Источник изображения: SK hynix

SK hynix является основным поставщиком памяти HBM для ускорителей NVIDIA, с поставками которых наблюдаются сложности из-за высокого спроса со стороны облачных провайдеров и операторов дата-центров, ориентированных на ИИ-нагрузки. Квак Но-чжун прогнозирует, что в среднесрочной и долгосрочной перспективе среднегодовой прирост потребности в чипах HBM будет составлять около 60 %. Это связано с увеличением объёмов генерируемых данных и повышением сложности ИИ-моделей.

До конца мая SK hynix планирует предоставить клиентам образцы памяти HBM пятого поколения — 12-слойные изделия HBM3E. Массовый выпуск такой продукции компания наметила на III квартал 2024 года. Недавно SK hynix заявила, что планирует инвестировать более $14,5 млрд в новый корейский завод M15X по производству чипов памяти. Первоначально планировалось, что это предприятие будет выпускать изделия NAND, но затем было решено переориентировать его мощности под выпуск DRAM.

В марте сообщалось, что компания Micron Technology, приступившая в феврале к массовому производству памяти HBM3E, уже получила контракты на весь объём поставок этих изделий до конца 2024 года, а также на большую часть поставок в 2025 году.

Компания SK hynix опубликовала отчёт о работе в IV квартале и 2023 году в целом. Отмечается, что ситуация на глобальном рынке памяти начала стабилизироваться: этому, в частности, способствует высокий спрос на ИИ-серверы. В результате, средняя стоимость чипов увеличилась, и SK hynix смогла нарастить продажи к концу года.

Выручка за последнюю четверть 2023-го составила ₩11,31 трлн, или приблизительно $8,47 млрд. Это на 47 % больше по сравнению с показателем за аналогичный период предыдущего года. При этом компания понесла чистые убытки в размере ₩1,38 трлн (около $1,03 млрд). Годом ранее убытки были больше — примерно ₩2,19 трлн ($1,64 млрд).

Источник изображения: SK hynix

По итогам 2023 года в целом продажи SK hynix составили ₩32,77 трлн (приблизительно $24,54 млрд). По сравнению с 2022 годом зафиксировано падение на уровне 27 %. Компания понесла чистые убытки в размере ₩9,14 трлн ($6,84 млрд), тогда как годом ранее была показана чистая прибыль в ₩2,24 трлн ($1,68 млрд).

SK hynix заявляет, что продажи её основных продуктов — изделий DDR5 и HBM3 — к концу 2023 года выросли более чем в четыре и пять раз соответственно по сравнению с 2022-м. При этом в сегменте NAND, где восстановление происходит относительно медленно, компания уделяет основное внимание оптимизации инвестиций и затрат.

SK hynix сфокусирует усилия на массовом производстве памяти HBM3E, которая востребована на рынке ИИ-систем. Кроме того, продолжится разработка HBM4. На рынки серверов и мобильных устройств компания намерена поставлять высокопроизводительные продукты DDR5 и LPDDR5T большой ёмкости.

Компания SK hynix объявила о разработке самой высокопроизводительной в мире памяти HBM3E, предназначенной для использования в современных ИИ-системах. Образцы изделий уже поставляются отдельным заказчикам для оценки технических характеристик.

HBM3E — это пятое поколение памяти данного типа, приходящее на смену изделиям HBM, HBM2, HBM2E и HBM3. HBM3E представляет собой улучшенную версию HBM3. Массовое производство HBM3E компания SK hynix намерена организовать в первой половине следующего года.

Источник изображения: SK hynix

По заявлениям разработчика, память HBM3E соответствует самым высоким отраслевым стандартам скорости передачи данных. Таким образом, изделия подходят для применения в наиболее нагруженных ИИ-платформах. Кроме того, при создании памяти были учтены жёсткие требования в плане рассеяния тепла. Утверждается, что изделия HBM3E способны перемещать информацию со скоростью до 1,15 Тбайт/с.

При изготовлении чипов компания SK hynix применяет технологию Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF), представляющую собой метод объединения нескольких чипов памяти на одной подложке посредством спайки. Это даёт возможность улучшить теплоотведение приблизительно на 10%. Говорится об обратной совместимости с HBM3, что упрощает внедрение новой памяти.

По оценкам, доля SK hynix на мировом рынке памяти HBM по итогам 2022 года составила приблизительно 50 %. В текущем году, как ожидается, этот показатель окажется на уровне 46–49 %, в 2024 году — 47–49 %.

Чем активнее внедряются ИИ-системы, тем важнее становится роль памяти HBM и DDR5, а в особенности её энергоэффективность. Так, в крупномасштабных системах на базе NVIDIA A100 на долю памяти может приходиться до 40 % потребляемой энергии. Неудивительно, что крупные производители памяти объединяют свои усилия с академическими кругами, чтобы разработать более экономичную память нового поколения.

В частности, Samsung на базе CXL и 12-нм техпроцесса уже разработала чипы DDR5 ёмкостью 16 Гбайт, который на 23 % экономичнее в сравнении с аналогичными чипами предыдущего поколения. В содействии с Сеульским национальным университетом (Seoul National University) Samsung продолжает вести работы по дальнейшему снижению энергопотребления. Сам университет также ведёт исследования в этом направлении и уже разработал новую технологию DRAM Translation Layer. Ожидается, что её внедрение поможет снизить энергопотребление DRAM ещё на 31,6 %.

Источник: SK Hynix

Не отстаёт от Samsung и другой крупный производитель устройств памяти, компания SK Hynix. Она представила новое поколение LPDDR5X, в котором применен техпроцесс High-K Metal Gate (HKMG). Благодаря материалу с оптимизированной диэлектрической проницаемостью удалось впятеро повысить заряд в ячейке, снизив при этом токи утечки. В итоге новая память LPDDR5X от SK Hynix может похвастаться на 33 % более высокой производительностью при 20 % экономии в энергопотреблении, в сравнении с предыдущим поколением.